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ESV सुरक्षा के साथ 20V 0.75A SOT-23 N-MOS
  • ESV सुरक्षा के साथ 20V 0.75A SOT-23 N-MOS

ESV सुरक्षा के साथ 20V 0.75A SOT-23 N-MOS

    भुगतान प्रकार: T/T
    Incoterm: FOB
    Min. आदेश: 10 Roll
    प्रसव के समय: 20 दिनों

डाउनलोड:

बुनियादी जानकारी

मॉडल नं.: ATM2002KSA

प्रमाणीकरण: RoHS, सीई, आईएसओ

आकार: अन्य

परिरक्षण प्रकार: अन्य

शीतलक विधि: स्वाभाविक रूप से कूल्ड ट्यूब

समारोह: स्विच ट्रांजिस्टर

कार्य आवृत्ति: कम आवृत्ति

संरचना: Planar

इनकैप्सुलेशन स्ट्रक्चर: चिप ट्रांजिस्टर

ऊर्जा स्तर: छोटे पावर

सामग्री: सिलिकॉन

Additional Info

पैकेजिंग: टी / आर

उत्पादकता: 3KK/M

ब्रांड: agertech

परिवहन: Ocean

उद्गम-स्थान: चीन

आपूर्ति की क्षमता: formal

प्रमाण पत्र: ISO9001,ISO16949,ISO14001,ISO18001,QC080000

एचएस कोड: 8541100000

बंदरगाह: Shenzhen Shekou

उत्पाद विवरण

ATM2002KSA SOT23 पैकेज के साथ एक एन-चैनल एन्हांसमेंट मोड फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर है। नाली-स्रोत वोल्टेज: 20V और नाली वर्तमान: 0.75A। ATM2002KSA की मुख्य विशेषता है

सरफेस माउंट पैकेज, लो-आर डीएस (ऑन) के साथ एन-चैनल स्विच , ओ कम लॉजिक लेवल गेट ड्राइव, ईएसडी प्रोटेक्टेड: 2KV, R DS (ON) <380mΩ (V GS = 4.5V), R DS (ON) <450m R (V GS = 2.5V), RDS (ON) <800m V (VGS = 1.8V)। मुख्य अनुप्रयोग एल ओड / पावर स्विचिंग, इंटरफैसिंग स्विचिंग, अल्ट्रा स्माल पोर्टेबल इलेक्ट्रॉनिक्स के लिए बैटरी प्रबंधन और एल ऑजिक लेवल शिफ्ट है।


पूर्ण अधिकतम रेटिंग (टा = 25 ℃ जब तक अन्यथा नोट नहीं)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

VDS

20

V

Gate-Source Voltage

VGS

±10

V

Continuous Drain Current

ID

0.75

A

Pulsed Drain Current

IDM

1.8

A

Power Dissipation

PD

0.35

W

Thermal Resistance from Junction to Ambient

RθJA

417

/W

Junction Temperature

TJ

150

Storage Temperature

TSTG

-55~ +150


Field Effect Transistor Uses




उत्पाद श्रेणियाँ : छोटा सिग्नल ट्रांजिस्टर

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