आपूर्तिकर्ता के साथ संवाद? आपूर्तिकर्ता
tony Mr. tony
मैं तुम्हारे लिए क्या कर सकते हैं?
आपूर्तिकर्ता से संपर्क करें
 दूरभाष:86-0769-81785058 ईमेल:tony.xu@agertech.com.cn
Home > उत्पादों > एन चैनल Mosfet > 650V 7A एन-चैनल एन्हांसमेंट मोड फील्ड इफेक्ट
650V 7A एन-चैनल एन्हांसमेंट मोड फील्ड इफेक्ट
  • 650V 7A एन-चैनल एन्हांसमेंट मोड फील्ड इफेक्ट

650V 7A एन-चैनल एन्हांसमेंट मोड फील्ड इफेक्ट

    भुगतान प्रकार: T/T
    Incoterm: FOB
    Min. आदेश: 10 Roll
    प्रसव के समय: 20 दिनों

डाउनलोड:

बुनियादी जानकारी

मॉडल नं.: ATM7N65TE

प्रमाणीकरण: RoHS, सीई, आईएसओ

आकार: अन्य

परिरक्षण प्रकार: अन्य

शीतलक विधि: अन्य

समारोह: उच्च वापस दबाव ट्रांजिस्टर

कार्य आवृत्ति: कम आवृत्ति

संरचना: Planar

इनकैप्सुलेशन स्ट्रक्चर: चिप ट्रांजिस्टर

ऊर्जा स्तर: उच्च शक्ति

सामग्री: सिलिकॉन

Additional Info

पैकेजिंग: टी / आर

उत्पादकता: 2KK/M

ब्रांड: AGERTECH

परिवहन: Ocean

उद्गम-स्थान: चीन

आपूर्ति की क्षमता: MEDIUM

प्रमाण पत्र: ISO9001,ISO16949,ISO14001,ISO18001,QC080000

एचएस कोड: 8541100000

बंदरगाह: Shenzhen Shekou

उत्पाद विवरण

ATM7N65TE एक उच्च वोल्टेज एन-चैनल एन्हांसमेंट मोड पावर फील्ड प्रभाव ट्रांजिस्टर है जिसे ऑन-स्टेट प्रतिरोध, बेहतर स्विचिंग प्रदर्शन और हिमस्खलन और कम्यूटेशन मोड में उच्च ऊर्जा पल्स का सामना करने के लिए डिज़ाइन किया गया है। यह शक्ति MOSFET उच्च दक्षता स्विच मोड बिजली की आपूर्ति के लिए अच्छी तरह से अनुकूल है।

विशेषताएं:


  • RDS (ON) = 1.4Ω @VGS = 10 V
  • अल्ट्रा लो गेट चार्ज (विशिष्ट 28 nC)
  • कम रिवर्स ट्रांसफर कैपेसिटेंस (CRSS = ठेठ 12 pF)
  • तेजी से स्विच करने की क्षमता
  • हिमस्खलन ऊर्जा का परीक्षण किया
  • बेहतर DV / dt क्षमता, उच्च असभ्यता


विद्युत विशेषतायें (टीसी = 25 डिग्री सेल्सियस, जब तक कि अन्यथा निर्दिष्ट न हो)

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

TYP

MAX

UNIT

OFF CHARACTERISTICS

Drain-Source Breakdown Voltage

BVDSS

VGS = 0V, ID = 250μA

650

 

 

V

Drain-Source Leakage Current

IDSS

VDS = 650V, VGS = 0V

 

 

10

µA

Gate-Source Leakage Current

Forward

IGSS

VGS = 30 V, VDS = 0 V

 

 

100

nA

 

Reverse

 

VGS = -30 V, VDS = 0 V

 

 

-100

nA

ON CHARACTERISTICS

Gate Threshold Voltage

VGS(TH)

VDS = VGS, ID = 250μA

2.0

 

4.0

V

Static Drain-Source On-State Resistance

RDS(ON)

VGS = 10V, ID =3.5A (Note 4)

 

1.05

1.4

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Input Capacitance

CISS

 

VDS=25V, VGS=0V, f=1.0 MHz

 

950

1430

pF

Output Capacitance

COSS

 

 

85

130

pF

Reverse Transfer Capacitance

CRSS

 

 

12

18

pF

SWITCHING CHARACTERISTICS

Turn-On Delay Time

tD(ON)

 

VDD=325V, ID =7A, RG =25Ω (Note 1, 2)

 

16

 

ns

Turn-On Rise Time

tR

 

 

60

 

ns

Turn-Off Delay Time

tD(OFF)

 

 

80

 

ns

Turn-Off Fall Time

tF

 

 

65

 

ns

Total Gate Charge

QG

 

VDS=520V, ID=7A, VGS=10 V (Note 1, 2)

 

28

42

nC

Gate-Source Charge

QGS

 

 

5.5

8.3

nC

Gate-Drain Charge

QGD

 

 

11

17

nC

DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATINGS

Drain-Source Diode Forward Voltage

VSD

VGS = 0V, IS = 7A

 

 

1.4

V

Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current

IS

 

 

 

7

A

Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current

ISM

 

 

 

28

A

Reverse Recovery Time

trr

VGS = 0V, IS =7A,

dIF / dt = 100A/μs (Note 1)

 

365

 

ns

Reverse Recovery Charge

QRR

 

 

4.23

 

µC

High Voltage N-Channel

उत्पाद श्रेणियाँ : एन चैनल Mosfet

इस आपूर्तिकर्ता को ईमेल
  • Mr. tony
  • आपका संदेश 20-8000 वर्णों के बीच होना चाहिए

संबंधित उत्पादों की सूची

होम

Phone

स्काइपे

जांच